有以下特点：

①InGaAs像传感器之光谱响应与夜天光的匹配率比三道GaAs光电阴极高进一个数量级，能更好地利用夜天光资源，更适用于微光被动成像。 

②InGaAs材料的量子效率高于Si材料，远高于三代GaAs光电阴极。可见光-短波红外敏感的InGaAs在1550nm的辐射灵敏度约为1000mA/W，背照CCD的峰值辐射灵敏度约为320mA/W，而GaAs光电阴极约为60mA/W，和ICCD比较InGaAs有较高的灵敏度、信噪比、分辨力和动态范围。

③InGaAs形成的短波红外图像与黑白相机摄取的图像类似，与人的视觉系统相容。能在较短时间内做出正确的判断。

④有较好的透雾性、烟尘、灰尘能力

⑤和原来的HgCdTe和InSb短波红外像增强器比较，InGaAs不仅性能好，体积小，重量轻、功耗低，而且不需要制冷。

⑥如在InGaAs像素内嵌入雪崩二极管（Avalanche  Photodiode APD），可接受850nm、1060nm、1550nm激光。实现观描、测距二合一。

⑦InGaAs现已模块化。结构紧凑、体积小、重量轻、环境适应性强，昼夜兼容全天候工作。可以提供数字或模拟视频输出，多功能，且操作简单。能为声音、图像信息的传输。战场指挥和管理提供安全、可靠的平台。

2008年1月美国传感器公司与美国国防部高科技项目计划局签订了研发“头部佩戴和微型车用下一代微光夜视成像用微型传感器”合同，合同要求3年内研发质量小于10g，分辨力为640×512的微光夜用铟镓砷（InGaAs-NV）短波红外传感器。

铟镓砷短波红外技术异军突起，成为微光夜视技术的重要手段，也可以与热像融合相辅相成。可以预料不久的将来，在军事应用的高端市场，该器件将成为微光像增强器、增强CCD/CMOS和微光CCD/CMOS的重要竞争者。