多重漏极网格是意法半导体公司报道的技术。该技术综合了一种新的纵向漏极结构和网格重叠横向布局，但其与金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor; MOSFET）具有相同的工作原理。其耐压层采用多次外延形成，并对每次外延进行选择性异型掺杂，最后经退火形成连续的P、N条结构。
一种量产化纵向超结金属-氧化物-半导体场效应晶体管的技术。
多重漏极网格是意法半导体公司报道的技术。该技术综合了一种新的纵向漏极结构和网格重叠横向布局，但其与金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor; MOSFET）具有相同的工作原理。其耐压层采用多次外延形成，并对每次外延进行选择性异型掺杂，最后经退火形成连续的P、N条结构。
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