研究者于2001年提出，此后陆续有来自学术界的研究者对此器件结构开展研究工作，截至2018年尚未在工业界实现量产。

Π栅场效应晶体管的结构类似于三栅场效应晶体管，一般在绝缘体上硅（silicon on insulator; SOI）衬底材料上形成。相比三栅场效应晶体管，Π栅场效应晶体管沟道两侧的栅材料进一步向下延伸至低于沟道材料。向下延伸的栅极可形成虚拟背栅的效果，从而对漏端电场在沟道背面的影响产生屏蔽作用，因此其栅极对沟道具有更强的控制能力，沟道更易于形成全耗尽，短沟道效应得到了更好的抑制。