根据能带对准的结果可以细分为交错式异质结隧穿场效应晶体管和裂隙式异质结隧穿场效应晶体管。异质结隧穿场效应晶体管的研究稍晚于同质结隧穿场效应晶体管，其优势在于可以实现更高的开态电流。Ⅳ族半导体材料外，Ⅲ-Ⅴ族化合物材料在异质结隧穿场效应晶体管中有重要应用。与逐层外延或沉积的Ⅲ-Ⅴ族材料工艺对应，晶体管通常是基于竖直方向隧穿的结。
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. 工学 . 电子科学与技术 . 新型半导体器件 . 超陡峭开关器件 . 带带隧穿场效应晶体管 . 异质结隧穿场效应晶体管异质结隧穿场效应晶体管
/heterojunction tunneling field effect transistor/
最后更新 2022-12-23
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应用两种半导体材料的特殊能带对准关系形成隧穿结，并结合栅电极的调控作用形成的场效应晶体管。是同质结隧穿场效应晶体管之外的另一类隧穿晶体管。
- 英文名称
- heterojunction tunneling field effect transistor
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
