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[{"ID":42423,"Name":"工学"},{"ID":80436,"Name":"电子科学与技术"},{"ID":80598,"Name":"新型半导体器件"},{"ID":80606,"Name":"超陡峭开关器件"},{"ID":80607,"Name":"带带隧穿场效应晶体管"}]
. 工学 . 电子科学与技术 . 新型半导体器件 . 超陡峭开关器件 . 带带隧穿场效应晶体管带带隧穿场效应晶体管
/band-to-band tunneling field effect transistor; TFET/
最后更新 2023-08-02
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利用栅极调控沟道电场，进而控制载流子从源极到沟道区域能带间的量子隧穿电流的场效应晶体管。
- 英文名称
- band-to-band tunneling field effect transistor; TFET
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
