正装发光二极管芯片的叉指电极难以避免电流聚集效应。在p电极的正下方会有更大的电流密度，而这个位置发出的光大部分被电极本身吸收，影响发光二极管的发光效率。电流阻挡层是针对这个问题设计的。电流阻挡层可以缓解台面边缘的电流拥挤效应，加大芯片出光部分电流注入，减少p电极对光子的吸收，从而提高光通量。在金属电极和芯片之间插入二氧化硅（SiO₂）电流阻挡层，理论上会导致其电压较常规器件偏高，这就需要综合对比电流电压特性和发光效率，在不同情况下选择不同结构的电流阻挡层以满足需要。