以蓝宝石为衬底的发光二极管外延片，经过一系列复杂的芯片工艺后，还需要切割成一粒粒的芯片，根据芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个芯片。通常，蓝宝石衬底发光二极管外延片的厚度在430微米左右，由于蓝宝石的硬度以及脆性，普通切割工艺难以对其进行加工。一般将外延片从430微米减薄至100微米左右，然后再使用激光进行切割。

通过钻石砂轮与减薄机的配合可以快速减薄蓝宝石衬底发光二极管的外延片。减薄后的蓝宝石背面粗糙度比较高，不利于光在这个界面的反射，降低了芯片的光提取效率。因此，在蓝宝石减薄之后，通常继续进行粗抛光和细抛光。粗抛光使用6微米左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复减薄制程留下的较深刮伤；细抛光采用3微米左右多晶钻石液进行抛光制程，以达到更好的表面品质。