功率型发光二极管输入功率一般为1瓦以上，工作电流也由传统小功率发光二极管的20毫安增至350毫安，承受此大电流需要优化芯片结构设计。因为随着电流密度的增大，电流分布不均匀，出现电流密集现象，导致器件可靠性下降。叉指电极结构相当于多个单胞并联的形式，可以有效实现电流互补，降低电流密度的不均匀度。采用叉指电极有利于改善器件的电流分布，降低串联电阻，并且单胞数越多，改善越明显。然而，单胞数的增加会以牺牲有源区面积为代价，降低器件的光输出功率，在实际应用时，需要二者结合均衡考虑。