氮化镓（GaN）基功率型发光二极管n电极的设计需要考虑欧姆接触电阻和热稳定性两个指标。为了实现n电极的欧姆接触，常选用功函数较低的钛（Ti）、铝（Al）和钽（Ta）等作为n-GaN接触金属，通常采用铝/镍/金（Al/Ni/Au）和钛/铝/镍/金（Ti/Al/Ni/Au）两种体系；在Al/Ni/Au和Ti/Al/Ni/Au两种n电极金属体系中，都存在Au与Al的互扩散问题，造成发光二极管器件的串联电阻增大，工作电压上升。因此，在n电极设计中，应该避免金属间的互扩散及Au-Al合金相的生成，可以采用高熔点金属作为有效的金属扩散阻挡层，如Ti等，放置在Al层与Au层之间。

制备发光二极管的n电极的主要设备是电子束蒸发镀膜机，通过变换不同的金属蒸发源和控制蒸发时间实现电极金属体系的制备。