普通的发光二极管芯片包含基板和外延层，其厚度在100～500微米，芯片发光面的长、宽介于100～1000微米。微结构发光二极管芯片将发光二极管的5微米左右的外延层剥离出来，移植到电路基板上。微结构发光二极管芯片工艺实现了薄膜化、微小化和阵列化。

微结构发光二极管芯片显示的每个像素都能定址、单独发光，像素的点距小至微米数量级，具备功耗低、亮度高、高解析度和色彩饱和度、响应速度快、效率高等性能。微结构发光二极管芯片可以应用于手环和手表等可穿戴设备，商用广告牌和公共显示屏，以及虚拟现实设备等领域。