本征的半导体是电的不良导体，通常需要进行电子（n型）掺杂或者空穴（p型）掺杂来实现其不同电性的材料，从而实现半导体双极PN结材料、单极n型材料器件或p型材料器件。

在氮化物半导体中，通常采用硅（Si）作为n型掺杂材料，Si替位镓（Ga）、铝（Al）或者铟（In）等在铝铟镓氮（AlInGaN）中实现n型氮化物半导体。在分子束外延中可以直接使用Si元素进行n型掺杂，在金属有机物化学气相沉积中一般使用Si的氢化物，如硅烷（SiH₄）等进行掺杂。由于氮化物半导体较高的激活能，氮化物实现高浓度n型掺杂较为困难，其高杂质浓度导致本征浓度过高，所以实现不同浓度的可控生长也较为困难。因此，半导体照明应用中氮化物的n型掺杂发展的主要方向是低的背景掺杂浓度，高的可控n型掺杂浓度和高的激活效率等。