Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体包括硫化锌（ZnS）、硒化镉（CdSe）和碲镉汞（HgCdTe）等。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的特点主要有：负电性差值大，离子键成分比Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体大；禁带宽度变化范围大，具有直接跃迁的能带结构；熔点较高，在熔点下具有一定的气压，组成化合物的单质蒸汽压也较高；随着原子序数的增加，禁带宽度逐渐变小。
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体在固体发光、激光、红外和压电效应等器件方面得到广泛应用。
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/Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor/
最后更新 2022-12-23
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由元素周期表中Ⅱ族元素和Ⅵ族元素形成的化合物半导体。
- 英文名称
- Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
