Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体包括砷化镓（GaAs）、砷化铝（AlAs）、砷化铟（InAs）、砷化铝镓（AlGaAs）、砷化铟镓（InGaAs）、磷化铟（InP）、铝镓铟磷（AlGaInP）、氮化镓（GaN）、氮化铟镓（InGaN）、氮化铝镓（AlGaN）和铝铟镓氮（AlInGaN）等二元、三元或四元合金化合物半导体材料，其中镓（Ga）、铟（In）、铝（Al）是Ⅲ族元素，氮（N）、磷（P）、砷（As）是Ⅴ族元素。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有电子迁移率高和禁带宽度大等特性，在微波及光电器件领域得到广泛应用。
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/Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor/
最后更新 2022-12-23
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由元素周期表中Ⅲ族元素和V族元素形成的化合物半导体。
- 英文名称
- Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor
- 所属学科
- 电子科学与技术
京公网安备 11010202008139号
