通常采用常规的半导体光刻、刻蚀和清洗工艺制备蓝宝石图形衬底，其技术路线分为干法和湿法两种。由于干法工艺稳定性好、重复性好，以及适合批量化生产，所以干法蓝宝石图形衬底成为主流，已经可以在发光二极管（light emitting diode; LED）厂内实现，也有蓝宝石图形衬底独立供应厂家专门制备图形衬底提供给LED厂使用。

蓝宝石图形衬底根据表面的图形大小来区分，可以分为微米图形衬底和纳米图形衬底。纳米图形衬底有望更好地提高LED出光效率，但是制备成本比微米图形衬底更高，制备难度更大。除非必须使用纳米图形衬底的工艺，市场主流仍然是微米图形衬底。从材料发展趋势看，纳米图形衬底用于氮化铝材料的外延有着独特的优势，可以在比较薄的厚度下，横向生长即可合并，而微米图形衬底可能的合并厚度已经没有太多实用价值。

蓝宝石图形衬底的优点主要有：通过氮化镓（GaN）在图形化后衬底上的横向外延提高晶体质量；利用粗糙表面，避免发光二极管发出的光在材料内部的全反射，从而增加光从晶体内部向外部的发射，提高LED的出光效率。