铟锡氧化物（indium tin oxide，ITO）是一种掺杂铟的氧化锡化合物，具有可见光区域透明的物理特性，导电性能好，同时又能够和半导体材料形成很好的电接触，适合用作发光二极管（light emitting diode，LED）、激光器及其他光电子器件的透明电极材料，可以提高此类器件的光电性能。

常用的ITO沉积设备有两种，即热蒸发设备和溅射设备。热蒸发设备通过加热合成ITO材料，将ITO材料气化，然后定向流向需要沉积的晶圆上，凝固成为薄膜，即ITO透明导电材料。为了保证氧含量，可以通入氧气，进行蒸发气氛的工艺调节，确保得到重复稳定的高导电率ITO薄膜。溅射设备通过加速离子，让高速离子物理轰击ITO靶材，使得ITO材料脱离靶材定向运动到晶圆上，实现晶圆的ITO沉积。晶圆表面往往是起伏不平的，溅射可以具有更好的表面覆盖率，同时实现低温工艺；溅射中也可以进行补氧。

ITO是广泛应用于太阳能、半导体照明、激光器等领域的透明导电材料，可以实现很好的透明、导电以及欧姆接触性能，所以常用于很多半导体光电子器件工艺中。由于地球上铟的储量丰度低，亟待寻找替代ITO的透明电极材料，已有技术人员研究采用镓锌氧化物（GaZnO）、石墨烯等透明电极替代材料。