在含磁性杂质的合金样品中，近藤效应表现为样品电阻随着温度的降低达到一个最小值逆向增加的反常现象。它是一种典型的多体强关联现象。当样品温度低于某一阈值（近藤温度）时，磁性杂质会与周围传导电子反铁磁耦合形成自旋单态，电子谱函数在费米面出现共振，增大了磁性杂质对传导电子的散射界面，因而会出现电阻的反常增大现象。量子点体系也存在近藤效应，但与块状材料不同，量子点体系近藤共振峰会辅助电子隧穿，从而使得电阻减小。在填充了奇数个电子后，量子点中未配对电子可以看作磁性杂质，拥有1/2自旋的磁矩。在低温下，由于近藤效应，它与左右导线费米面处的电子反铁磁耦合形成多体自旋单态，在费米面位置引入近藤共振峰，显著增强电子隧穿通过量子点的概率。2000年，荷兰科学家在量子点体系观测到近藤效应，证实电导随着温度的降低而反常增加，最后达到饱和值。