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单电子隧穿

/single electron tunneling/
最后更新 2023-08-19
浏览 138
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单电子发生的量子隧穿现象。

英文名称
single electron tunneling
所属学科
电子科学与技术

单电子隧穿是分立的事件,电荷转移是以电子电荷为单位量子化的。单电子隧穿一般发生于介观体系特别是量子点体系。量子点的尺寸比较小时,量子点内的电子-电子库仑相互作用影响输运性质。当量子点的分立能级中的一个能级被一个电子占据时,第二个电子跃迁到量子点则需要消耗一定的能量。这是由库仑相互作用引起的,通常称作库仑阻塞效应。当量子点的电压达到某一定值时,栅极提供的能量刚好和库仑相互作用需要消耗的能量一致时,单个电子能从源极隧穿通过量子点,但由于库仑阻塞效应,在这个电子进入漏极之前,源极电子不能继续进入量子点。单个电子是一个个地通过量子点,这个现象就是单电子隧穿。要获得单电子隧穿,需满足以下两个条件:①热涨落足够小,即库仑势远大于热运动能量。②电子在量子点待的时间足够长,即源与量子点之间的电阻足够大。单电子隧穿是单电子晶体管的物理基础。

  • 阎守胜.现代固体物理学导论.北京:北京大学出版社,2008.

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