包括Bi₄Ge₃O₁₂和Bi₁₂GeO₂₀两种。

①Bi₄Ge₃O₁₂晶体，属立方晶系，晶体闪铋矿结构，空间群I₄3d，埃，，莫氏硬度5，密度7.13克/厘米³，熔点1050℃，折射率（在480纳米波长下）为2.15。无色、透明和不溶于水。该晶体是一种自激活无机闪烁晶体，在高能粒子或高能射线（X射线、γ射线）激发下能发出峰值波长为480纳米的绿色荧光，室温下的衰减时间为300纳秒。

该晶体具有密度高、有效原子序数大、阻止射线和粒子能力强、光电效应比例大、低余辉、机械加工性能好和化学性能稳定等突出优点，是一种综合性能优良的无机闪烁晶体，广泛应用于核辐射探测领域。此外，该晶体还具有电光效应和磁光效应，在光学电压和电流传感器等方面具有很好的应用前景。最常用的工业化生长方法为提拉法和坩埚下降法，中国科学院上海硅酸盐研究所首创了该晶体的多坩埚下降法生长装置和方法，为欧洲核子中心大型正负电子对撞机（LEP）中L3实验提供了长度达240纳米的Bi₄Ge₃O₁₂晶体；该所发明的超长和宽板状Bi₄Ge₃O₁₂晶体的坩埚下降法生长装置和方法，为“悟空号”暗物质探测卫星研制了长度达600毫米的晶体，并创造了该晶体长度（945毫米）和单体面积（610×280毫米²）的世界新纪录。

②Bi₁₂GeO₂₀晶体，属立方晶系，软铋矿结构，空间群I23，埃，，熔点930℃，密度9.23克/厘米³，莫氏硬度4.5，折射率（在510纳米波长下）为2.55，略呈黄色、透明，具有压电效应、电光效应、双折射效应、光电导效应和旋光效应等，可用于制作电光调制器和延迟线。