特点是可以得到具有预先设定图案且长程有序结构的高分子膜材料。随后，通过化学方法对嵌段共聚物的某一嵌段进行选择性刻蚀，即可得到大面积具有有序结构的阴/阳模板；将该有序结构模板转移到半导体晶片上，进而可以制备出具有相应图案的半导体集成电路（芯片）。由于嵌段共聚物的相尺寸在纳米尺度，这样可得到线幅小于10纳米的半导体芯片，是光刻、等离子刻蚀等技术难以达到的。一般地，该方法对嵌段共聚物的要求较高，如不同链段的溶解度参数的差异要足够大、分子量分布要足够窄（分散系数一般要小于1.1），而且其相区尺寸要与模板的图案尺寸相匹配。该方法可用于高密度集成电路的制备等领域。