磁控溅射原理示意见图。磁控溅射由于电磁场的存在延长了电子的运行路径，增加了电子与气体分子之间的碰撞率导致原子的离化率提高，入射靶面的离子密度增大，从而提高了溅射速率。1970年，磁控溅射技术及装置出现以后被迅速用作薄膜的制备，中国于1980年前后大力发展磁控溅射技术。

磁控溅射原理示意图

磁控溅射具有“高速”和“低温”两大特点（其中“高速”是指薄膜的沉积速率高，而“低温”指在薄膜生长过程中基底的温升低），使薄膜工艺发生了深刻的变化，在很多方面得到了广泛的研究和应用，尤其是在大面积平板玻璃镀膜领域。