这种情况下，该固体被理解为二维或者三维无限态，如金属或者离子化合物而不是分子晶体。当结晶化外部条件与挥发点外部条件不同时，沉积就会发生，一般情况下是不同温度。

如果形成AB的反应是吸热反应，A晶体的生长就发生在冷端：

如果形成AB的反应是放热反应，A晶体的生长就发生在热端：

气相反应剂（B）主要包括：I₂、Br₂、Cl₂、HCl、NH₄Cl、H₂、H₂O、TeCl₄、AlCl₃、CO、S₂。

可控温区和温度梯度的反应炉。通常所用的管子是SiO₂石英管，如果反应物不与金属反应，也可以用金属管。

该方法通常用来分离稀土或者制备纳米材料。在20世纪50～60年代，H.舍费尔^[注]对化学气相迁移反应进行了系统的研究和描述。各种固体的纯净和结晶种类可以在化学迁移反应的帮助下形成：金属、非金属和金属间相，以及卤化物、硫族元素卤化物、硫族元素和许多其他物质。

单个平衡反应：

多个平衡反应：

另一种较为简单的情况属于自发迁移，类似于升华或分解升华的现象。然而，被迁移的固体本身并不产生有效的分压。MoBr₃的结晶是自动迁移过程的一个例子。基于这个例子，可以用一般的示例来描述化学气相迁移的过程。化合物AB_x(s)本身不能产生AB_x(g)或A(g)+B(g)〔AB(g)+B(g)〕气体的有效分压。自动迁移的基础是两个共存的固相AB_x(s)和AB_x-n(s)，以及通过分解反应生成的气相，形成的气态物质B在化学气相迁移反应中只生成气态产物AB_x+n。

只有满足以下两个条件时，迁移平衡才有效：一是B的分压必须足够高，二是迁移相AB_x(s)必须保持平衡，因此AB_x(s)不能完全分解。B代表气体分解产物。

化学气相迁移“水循环”法制备钨：

水合钨氧化物具有比纯氧化钨高得多的挥发性能，因此高温和湿氢还原具有最有利的化学气相迁移条件。水蒸气不仅能够将细颗粒钨粉氧化，而且能够生成较一般氧化钨挥发性更大的水合氧化钨，然后挥发至气相中，并在H₂的还原作用下，再沉积在较粗的钨粉颗粒上，从而使钨粉颗粒进一步长大（见图），因此高温和湿氢有利于化学气相迁移。

化学气相迁移导致颗粒长大机制示意图