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GaN同质衬底技术
/GaN homoepitaxy/
最后更新 2022-12-23
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外延LED材料与衬底都是GaN的技术。GaN薄膜外延是以GaN单晶为衬底进行的外延，制备氮化镓基LED。
- 英文名称
- GaN homoepitaxy
- 所属学科
- 化工
京公网安备 11010202008139号
