钨青铜型电介质材料是仅次于钙钛矿电介质材料的重要电介质材料。与钙钛矿晶体相似，钨青铜晶体也是以氧八面体作为基本结构单元，氧八面体以共顶点的形式沿四重轴叠置成堆垛，各堆垛再以共点的形式连接起来；与钙钛矿结构不同的是，这些堆垛在垂直于四重轴的平面内取向不一致，使不同堆垛的氧八面体之间形成3种不同的空隙，每个晶胞含10个氧八面体，典型尺寸为a=1.25纳米，c=0.4纳米。晶胞中含4个15配位的A2位、2个12配位的A1位与4个9配位的C位，其化学通式可写为[(A1)₂(A2)₄C₄][(B1)₂(B2)₈]O₃₀。根据A与C位离子充满情况的不同，钨青铜结构可分为：全充满型（A1、A2与C位完全充满）、非充满型（A2位全充满、A1位部分充满、C位空缺），以及充满型（A1与A2位全充满、C位空缺）3大类。

钨青铜的晶胞高度等于一个氧八面体的高度。顺电相时，所有的原子都位于过z=0和z=1/2且垂直于c轴的镜面，晶体结构为没有自发极化的中心对称结构。铁电相时，氧八面体中心的离子和间隙位置（主要是A1和A2位置）的离子均沿c轴发生同方向的位移，形成具有沿c轴电偶极矩的非中心对称点群，这也是钨青铜型晶体铁电性的来源。

根据结构的不同，钨青铜型电介质材料可以分为非充满型钨青铜电介质材料、完全充满型钨青铜电介质材料和充满型钨青铜电介质材料。

①非充满型钨青铜电介质材料，代表性晶体为铌酸锶钡（Sr_xBa_1-xNb₂O₆）固溶体，固溶范围为x取0.26～0.87，其中一致熔融的成分点x为0.61，该成分具有最好的光学性能。铌酸锶钡具有高的电光系数和压电系数，是一种被广泛应用于电光及非线性光学器件的铁电材料。其铁电相点群为4mm，顺电相点群为4/mmm。随着钡含量的减少，铌酸锶钡晶体的铁电相变向低温方向移动，同时，铁电相变峰逐渐宽化，表现出弛豫铁电相变的特征。

②完全充满型钨青铜电介质材料，典型代表是铌酸钾锂（K₃Li₂Nb₅O₁₅），具有优异的非线性光学性能、光电性能和抗光损伤能力，是一种优异的光学材料。此外，铌酸钾锂晶体具有大的机电耦合系数,并且从室温到250℃，机电耦合系数几乎不变。

③充满型钨青铜电介质材料，包含三元体系和四元体系。三元体系代表性晶体为铌酸钡钠（Ba₄Na₂Nb₁₀O₃₀），具有优异的电光和非线性光学性能，且具有高的转换效率和非线性系数、优异的抗光损伤能力，广泛应用于频率双倍化、二次谐波发生器以及静态光折射栅等领域。在铌酸钡钠中存在一系列复杂的结构相变。除了最高温相(空间群为P4/mbm)之外，其余各相均具有铁电性。四元体系包括与的介电与铁电特性，首先受值的显著影响。当为2时，M与Ln正好分别占据A2与A1位置、形成A位有序结构，呈铁电性。而当为1、3时，由于部分M与Ln随机占据A2与A1位置，形成无序结构，出现弥散或弛豫型铁电相变。另一重要因素为A2位与A1位离子半径差，即。较小的成分，降温出现非公度相，铁电相变为弥散或弛豫型；当△R足够大时，非公度相锁定为公度相，充满型钨青铜铌酸盐表现为正常铁电体，铁电相变居里温度一般在室温以上。