按照化学机械抛光（chemico-mechanical polishing; CMP）浆料中所使用磨料的种类和性质不同，分为单磨料CMP浆料、混合磨料CMP浆料和复合磨料CMP浆料。

单磨料浆料是指抛光浆料中只包括一种无机粒子，如SiO_2、Al₂O_3、CeO_2、ZrO₂和TiO₂等，其中SiO_2、CeO₂和Al₂O₃磨料的应用最为广泛。①SiO₂-CMP浆料，SiO₂是CMP中应用最广泛的磨料之一，被广泛地用于硅晶片、层间介质层的CMP。其优点主要是采用气相法、液相法等制备高纯度的不同粒径的SiO₂粉体，配制高浓度浆料，抛光选择性和分散性好等；但缺点是抛光速率较低，需要在浆料中添加其他试剂以提高抛光速率及抛光质量。②Al₂O₃-CMP浆料，Al₂O₃磨粒硬度大，仅次于金刚石，抛光速率高，其抛光浆料可用于集成电路生产过程中层间W、Al、Cu等低膨胀系数的金属布线材料和薄膜材料的平坦化加工，以及高级光学玻璃、石英晶体及各种宝石的抛光。Al₂O₃抛光液的应用范围日益广泛，与SiO₂共同成为抛光液磨料的两大支柱。但Al₂O₃在配制浆料的过程中，存在分散稳定性不好、易团聚等缺点，在几分钟内就会产生团聚，使得颗粒变粗，导致抛光表面划伤严重，损伤层深。Al₂O₃作为CMP磨料的研究主要集中在颗粒间的相互作用、氧化剂与颗粒协同作用，以及悬浮液的分散稳定性能等过程中。③CeO₂-CMP浆料，Ce基抛光粉是一种优良的抛光材料，以其独特的抛光性能及质量，广泛用于光学玻璃、集成电路芯片及互连材料等高科技领域。其优异的抛光性能是由CeO₂独特的物理和化学性质决定的。针对不同被抛光材料，需要制备不同性能优异的抛光粉。对于稀土抛光粉的制备，还必须考虑工业生产的连续性和经济性。虽然对光学玻璃的抛光仍然是稀土抛光粉消费的主要市场，但用于集成电路的纳米稀土抛光粉的数量增长非常快。CeO₂作为抛光材料在精密玻璃和ULSISiO₂介质层的CMP中表现出色，不仅抛光能力强，而且可降低工件表面损伤、提高抛光选择性。

使用两种或两种以上磨料（如ZrO_2、SiO_2、CeO_2、Al₂O_3、TiO₂等）所配制的浆料，达到提高抛光速率和抛光质量的目的。

复合磨料的开发逐渐成为CMP相关技术领域中的一个研究热点。通过对纳米粒子的结构、形貌以及物理或化学性质进行微观设计，能够进一步提高抛光表面质量、降低抛光表面缺陷。如在较硬的粒子外面包覆一层较软的物质，可以在保证较高的抛光速率的同时改善抛光质量；在较软的颗粒表面包覆较硬的物质，可以在提高其抛光速率的同时保持较高的选择性。