多沟道桥连场效应晶体管的结构如图所示。多沟道桥连场效应晶体管是韩国三星电子公司最早于2004年发表于国际电子器件大会，已经成为3纳米以下大规模集成电路技术的候选器件。多沟道桥连场效应晶体管在电学上属于并联结构，从而可以大幅提升单一器件的开态电流。得益于桥连沟道之间的全包围栅电极结构，多沟道桥连场效应晶体管具有接近理想的短沟道控制能力。多沟道桥连场效应晶体管的制造工艺相对比较复杂，通常在体硅衬底上连续外延生长锗硅、硅的薄膜叠层，在形成替代栅结构后从源漏和浅槽隔离的回刻浅槽中选择性去除锗硅，重新回填进高介电常数绝缘介质和金属栅材料，形成全包围的金属栅结构。这种工艺容易引起锗硅的残留以及回填不充分等问题，对器件的可靠性是一个较为严重的风险因素，已经发展了一些原子级的刻蚀工艺和超高密度的沉积工艺解决这个问题。多沟道桥连场效应晶体管可以认为是一种特殊的围栅场效应晶体管，因此在低功耗高性能领域有很好的应用潜力。
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. 工学 . 电子科学与技术 . 新型半导体器件 . 超薄体场效应晶体管 . 全耗尽SOI场效应晶体管多沟道桥连场效应晶体管
/multi-bridge-channel field effect transistor; MBCFET/
最后更新 2024-12-03
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具有多层堆叠的半导体沟道，并同时与源、漏连接的新型多栅场效应晶体管。
- 英文名称
- multi-bridge-channel field effect transistor; MBCFET
- 所属学科
- 电子科学与技术
多沟道桥连场效应晶体管结构示意图条目图册
京公网安备 11010202008139号
