在这种能带结构中价带顶的电子不能垂直地跃迁到导带底，而必须与声子耦合，因而具有间接带隙的半导体材料具有低的光吸收系数和低的荧光量子产率。
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[{"ID":42422,"Name":"理学"},{"ID":62083,"Name":"化学"},{"ID":121686,"Name":"物理化学"},{"ID":123529,"Name":"能源化学"},{"ID":123623,"Name":"半导体光电化学"},{"ID":123625,"Name":"间接带隙"}]
. 理学 . 化学 . 物理化学 . 能源化学 . 半导体光电化学 . 间接带隙间接带隙
/indirect band gap/
最后更新 2022-12-23
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价带顶与导带底不在同一动量空间的能带结构。
- 英文名称
- indirect band gap
- 所属学科
- 化学
京公网安备 11010202008139号
