本征吸收型硅可用于制备紫外到近红外的光电二极管和三极管，硅中掺入某些杂质后可用于制造短波、中波和长波红外探测器；硅同一些金属的化合物可用于制造红外焦平面列阵。硅的禁带宽度为1.12电子伏，本征吸收波长范围从紫外到近红外，吸收系数高达10⁵～10⁶/厘米，是灵敏的光电探测器材料。采用电阻率高、少数载流子寿命长的硅材料，能改善光电二极管的长波光谱响应。减小PN结深度，选择适当的掺杂剂和表面浓度，能改善硅二极管的短波光谱响应，达到“紫敏”或“蓝敏”。

硅单晶中掺入锌、铟、镓等微量杂质后，利用这些杂质的激发，可以制成非本征吸收型光电导探测器。杂质电离能决定探测器的响应波长。硅掺锌（Si∶Zn）的杂质电离能为0.316电子伏，响应截止波长3.3微米，峰值量子效率20%，工作温度105开；硅掺铟（Si∶In）的杂质电离能为0.157电子伏，响应截止波长7.4微米，峰值量子效率48%，工作温度60开；硅掺镓（Si∶Ga）的杂质电离能为0.074电子伏，响应截止波长17.8微米，峰值量子效率30%，工作温度32开。硅掺锌、硅掺铟、硅掺镓材料都是P型半导体，杂质是在拉制硅单晶过程中掺入的，掺杂浓度在10¹⁶/厘米³数量级。与本征型三元系材料相比，硅掺杂虽然工作温度更低，但因较易获得大直径高纯度的均匀单晶，且硅器件工艺较成熟，因而在红外成像中得到应用。

硅表面淀积一薄层金属而形成肖特基势垒后，可用于制备紫外、可见和红外光电探测器。发展较快的是硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵。其中硅化钯（Si∶Pd）的响应截止波长为3.5微米，硅化铂（Si∶Pt）为5微米左右，硅化铱（Si∶Ir）达到9微米。硅化物红外焦平面虽然量子效率较低（约1%），但因易于做到大规模集成度，且器件中像元之间性能均匀性好，故可用于3～5微米凝视成像。现已制出规模为640×480元的硅化铂红外焦平面，并在红外摄像系统中得到应用。

此外，用锂漂移法补偿硅中P型杂质而制成N-I-P型硅探测器，可用于能量粒子和X射线探测方面。