根据结构不同，主要分为结型场效应管电极（JFET）和绝缘栅场效应管电极（JGFET），而每一类又有N沟道和P沟道之分。1926年J.E.利林费尔德^[注]和1934年O.海尔^[注]分别以专利的形式提出场效应晶体管的概念，但直到1947年贝尔实验室W.B.肖克莱首次从实验上真正观察和解释场效应现象后，结构型场效应半导体电极才开始走向实际应用；绝缘栅场效应电极是姜大元^[注]和M.阿塔拉^[注]于1959年首次发明。所有的场效应管（FET）都有源极、漏极和栅极3个端，大多数的场效应管电极有第四端，被称为体、基、块体或衬底。载流子通过源极进入通道，从源极进入通道的电流用I_S表示；载流子从漏极离开通道，从漏极通过的电流用I_D表示；漏极与源极之间的电压用V_DS表示；通过在栅极施加电压，控制电流I_D，进而控制通道的电导率；简单地说体就是指栅，源和漏所在的半导体的块体。结型场效应管电极（JFET）因有两个PN结而得名（图a、b），绝缘栅场效应管电极则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）（图c、d）。若按导电方式来划分，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。JFET利用PN结电压效应来控制耗尽层的宽度，从而改变导电沟道的宽度来控制I_D。金属-氧化物-半导体场效应管则是利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制电流I_D。

N型（a）和P型（b）结型场效应管电极；P型（c）和N型（d）金属-氧化物-半导体两种场效应管示意图

相对于晶体管，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点。因此，场效应管的常见用途是作为放大器，可以用于在噪声敏感的电子产品中如调谐器和低噪声放大器，而它高的输入电阻和低输出电阻，可以在公共-漏极结构中作为有效的缓冲区。最通用的场效应管是金属-氧化物-半导体场效应管，互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺技术是现代数字集成电路的基础。这个过程使用的技术安排（通常是“增强型”）P沟道和N沟道金属-氧化物-半导体场效应管串联连接，一个表示开，另一个表示关；随着纳米技术及微加工等技术的发展，新型的场效应半导体电极在生物分析、环境监测等领域也受到关注。