阻变存储器通常是通过电压信号来实现写入及擦除操作，当器件通过某一极性偏置电压进行写入操作后，如果擦除操作只能在相同极性偏置电压下实现，则该类型的电阻转变现象为单极电阻转变；如果擦除操作只能在相反极性偏置电压下实现，则该类型的电阻转变现象为双极电阻转变；如果擦除操作既能在相同极性偏置电压下实现，又能在相反极性偏置电压下实现，则该类型的电阻转变现象为无极电阻转变。对于单极电阻转变，擦除过程主要由热效应主导；对于双极电阻转变，擦除过程主要由电场下的离子反应所主导，热效应对擦除过程有辅助作用；对于无极电阻转变，擦除过程主要由热效应主导，电场下的离子反应对擦除过程有辅助作用。

在无极电阻转变过程中，写入操作在一定的操作限流下进行，擦除操作需在更高限流下进行以保证器件获得足够的焦耳热来熔断导电细丝。通常情况下，擦除操作需要的电压小于写入过程所需要的电压，而擦除电流大于写入操作过程的操作电流。

阻变存储器是下一代存储器的有力竞争者。