分子式为SiC，分子量为40.097。常见产品称金刚砂，通常用作磨料和耐火材料。除存在于亚利桑那陨铁中的碳硅石外，在自然界尚未发现碳化硅成矿。工业SiC因含杂质而呈现黑色、绿色或黄色。纯净SiC无色透明。

　　SiC具有近百种结构，但经常出现的晶体结构是纤锌矿型（2H）、闪锌矿型（3C）及介于二者之间晶体结构（4H、6H）等。不同结构形式的SiC，其半导体性质也不相同。例如，较低温下制备的β-SiC的禁带宽度（4.2开）为2.39电子伏，而在高温下制备的α-SiC的（4.2开）为3.02电子伏。在1400℃以下生长的碳化硅具有2H型晶体结构，在1400～1600℃下生长的碳化硅为3C型，在1600～2100℃下生长的碳化硅为4H型，而在2100℃以上生长的碳化硅则具有6H型晶体结构。6H型碳化硅的半导体性质见表。

高频器件（如场效应晶体管）选择材料的标准是要求其具有较大的（迁移率）、（速度达饱和时的电场强度）和（饱和速度）。碳化硅的=5×10⁶伏/厘米，=2×10⁷厘米/秒，可用作高频器件材料。此外，碳化硅耐高温、化学稳定性好，对原子辐射具有良好的阻抗性，有低的中子俘获截面，可在空间技术和核反应堆中用作热敏元件等。例如，碳化硅整流管可在500℃的环境下正常工作，而且耐辐射性能远胜于硅二极管。

　　用于半导体器件的SiC材料多采用外延薄膜材料，可用气相外延（VPE）、液相外延（LPE）及分子束外延（MBE）法制备。应用较为普遍的是化学气相沉积（CVD）工艺。同质外延选用6H-SiC衬底，异质外延选用（100）或（111）硅衬底。为外延工艺提供衬底的单晶多采用气相升华法制备。6H-SiC薄膜是较理想的蓝色发光材料，由于碳化硅发光器件的发光频率很宽，通常认为它还可用作纯绿色的发光器件，并有望用于全色发光显示器件；3C-SiC/Si有望用于异质结双极型器件，因具备高电子迁移率（约1000厘米²·伏^-1·秒^-1）、宽能隙（2.2电子伏，300开）、高热稳定性及高饱和漂移速度，是理想的高温、高频、大功率器件材料。