Ω栅场效应晶体管的栅极几乎包裹着整个载流子输运沟道，栅极可以从多个方向对沟道进行控制，因而Ω栅场效应晶体管相对于平面场效应晶体管具有良好的栅控能力，其电学特性上展现出更好的亚阈值特性。从结构特征上来看，Ω栅是在三栅或是鳍形栅的基础上将控制栅延伸到沟道底部形成一个底部栅电极，使得Ω栅场效应晶体管的特性和膜厚介于双栅和三栅器件之间，提高了驱动电流，改善了短沟道效应，抑制了漏致势垒降低效应（drain induced barrier lowering; DIBL）。

虽然Ω栅场效应晶体管相对于平面场效应晶体管在栅控能力上有所提高，但相对于围栅场效应晶体管的栅控能力还显不足，它可以看成从平面场效应晶体管到围栅场效应晶体管的一个过渡。