围栅场效应晶体管的结构特点为栅全包围纳米线形状的沟道区。围栅场效应晶体管独特的结构有助于栅电极有效控制载流子沟道状态，使得栅控能力大幅增强，可以更有效地抑制短沟道效应。围栅场效应晶体管的沟道断面结构根据工艺的不同可为长方形、椭圆形、圆形。一方面，随着沟道截面尺寸的缩小和量子效应的作用，沟道载流子的分布在围栅电场作用下会远离沟道表面，从而抑制表面散射对载流子输运的影响；另一方面，由于围栅场效应晶体管的沟道是非掺杂沟道，杂质库仑散射对载流子输运的影响也可以被有效地控制，从而使得围栅场效应晶体管获得更高的沟道载流子迁移率。

得益于近似理想的短沟道控制能力，围栅场效应晶体管已经成为3纳米以下节点大规模集成电路制造技术的候选器件结构。