是电流磁效应中的一种横向效应，由E.H.霍尔（Hall）于1879年首先在金属中发现。

霍尔效应可以用自由电子模型简单说明（见图）。设样品中沿正方向有电流流过，载流子为电子，因而电子速度沿负方向漂移。在沿方向的磁场作用下，它们受到沿负方向的洛伦兹力的作用，因而样品在方向的两个表面有正负电荷积累。结果是这些电荷建立了一个沿负方向的电场，称为霍尔电场。在稳定情况下，对电子的作用力和洛伦兹力抵消，有:

式中，称为霍尔系数，为样品电子浓度，为电子电荷量。类似地，如果是浓度为的空穴导电，则霍尔系数为，式中为空穴浓度。可以看出，霍尔系数的大小取决于载流子浓度，而其符号取决于载流子类型。因此，霍尔系数的测量，可以直接给出关于载流子的信息。电子迁移率，空穴迁移率，是电导率。这样，结合电导率的测量还能确定迁移率。由此确定的迁移率称为霍尔迁移率。

上述结果对金属和简并半导体在强磁场下成立。如果是弱场，则有：

式中是一个接近1的因子，其数值和引起载流子散射的机制有关。

霍尔效应示意图

在霍尔效应中，和之间的夹角（和分别为和方向的电场强度）称霍尔角。霍尔角为45°（）时，对应的磁场称霍尔场。霍尔场是量度样品霍尔效应强弱的一个量。它和霍尔系数、电导率、载流子迁移率有如下关系：

半导体中载流子浓度低，迁移率高，霍尔效应显著，它的霍尔场小，霍尔角大，因而半导体可用来制作测定磁场的探头。利用霍尔效应制成的器件称为霍尔器件。它们除用作磁强计外，在其他如安培计、瓦特计、模拟乘法器、磁罗盘等仪器、仪表器件中也得到了应用。

实际半导体、二价金属及过渡金属，电子和空穴同时存在，都对电流有贡献。这时霍尔系数的符号可以为正，也可以为负，主要取决于电子和空穴的贡献。对于金属，完全取决于电子电导率和空穴电导率的相对大小；对于半导体，则取决于两种载流子的浓度和迁移率。

测量霍尔系数经常采用棒状样品。实际测量时，要通过在不同方向加磁场和电场进行4次测量，求得的平均值，以消除由于电极对准程度、热电效应、其他磁电效应以及样品不均匀性和各向异性等因素带来的误差。表中列出了一些元素的晶体在室温下的霍尔系数值。二价金属铍和过渡金属铬等具有正的霍尔系数，这可以用由于它们的能带交叠导致出现两种载流子来解释。此外，所有金属的霍尔系数都小，说明它们的载流子浓度高；半金属砷和锑的霍尔系数居中，有较低的载流子浓度；半导体中由于载流子稀薄，其霍尔系数值很大。

在霍尔效应中，称为霍尔电阻。一个二维电子系统在极低温强磁场下，随磁场阶跃地变化，称为量子霍尔效应。它是1980年由K.von克利青（Klitzing）等人在MOS结构的表面反型层上首次观察到的。利用这种效应，可精确测量基本常数。其定量理论相当复杂，尚在研究之中。