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高密度等离子体刻蚀

/high-density plasma etching/
条目作者张志勇

张志勇

最后更新 2023-08-19
浏览 129
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在集成电路制造中,利用高频辉光放电反应原理产生等离子体的干法刻蚀技术。

英文名称
high-density plasma etching
所属学科
电子科学与技术

等离子体刻蚀利用高频辉光放电反应原理产生等离子体。当一定量的化学气体输入到一定压力的反应腔室,在上下电极加上高电压(见图,wafer代表晶圆,plasma代表等离子体),产生电弧放电,使反应气体激活成自由电子和活性离子,如原子或游离基。这些由部分离化的气体组成的气相物质被称为等离子体,其中激发态的粒子会自发放电,产生辉光,称为辉光放电现象。等离子体中的电子不但与气体原子发生碰撞,气体被离子化,又产生更多的电子,并产生新的原子、分子和离子等,增大了等离子体密度;等离子体也会直接轰击电极表面,发生能量交换和反应,与具有一定能量和活性的原子、原子团、离子等基团一起,通过化学反应和物理轰击刻蚀电极上的材料,并形成挥发性反应物被去除,从而达到图形转移的效果。

平行板等离子体反应腔示意图平行板等离子体反应腔示意图

常规等离子体中有效的自由基和离子数量太少,为了改善其工作能力,特别是刻蚀速率,有电感耦合(inductively coupled,ICP)、磁控、电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)3种提高等离子体中有效成分含量的方法,它们统称为高密度等离子体技术。ICP利用电流加在线圈上,产生磁场,稳定等离子体,增加有效成分。等离子体有效成分来源于电子与气体的碰撞,延长电子寿命是增加碰撞概率的首选,磁控就是以这样的原理增加电子的形成和密度。一个电子被加速电压驱使离开阴极表面之后,磁场力使它做圆周运动,运动一段距离之后,若没有发生碰撞它又回到了阴极,如此,电子密度大幅度增加,于是碰撞概率增加,有效成分增加。ECR也是类似的机制,只是它使用磁场加交变电场,可以在延长电子运动距离的同时增加其自身质量。

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