剥离工艺的步骤主要包括：①涂敷、曝光、显影、坚膜，用以得到需要的图形。②在半导体衬底片上沉积薄膜材料（通常用蒸发或溅射方法）。③用有机溶剂（常用乙醇和丙酮）去除光致抗蚀剂。与此同时，在抗蚀剂顶部的薄膜材料随抗蚀剂一起脱离，而同衬底片直接接触的薄膜材料被保留下来。

与腐蚀工艺不同，剥离工艺的优点主要有：薄膜对抗蚀剂边缘的灵敏度高，抗蚀剂图形通常制成开口小、腔体大、边缘顶部突出的剖面形状，有多种能提供这种剖面的光刻技术。

通过剥离工艺可获得亚微米图形，而且边缘陡直，图形尺寸精确。剥离工艺可普遍应用于要求精细光刻图形的半导体器件的制造。其克服了晶体管、集成电路工艺中常用的光刻腐蚀法的缺点，已广泛应用于要求精细光刻图形的砷化镓场效应晶体管的制造中，也可应用于表面声波器件制作及高精度铬掩模、彩色掩模等工艺中。