根据所使用的曝光光源波长,基于光子的光刻技术可以划分为紫外光光刻、深紫外光光刻和极紫外光光刻3类。其中深紫外光刻通常采用准分子激光光源,包括KrF准分子激光(248纳米)、ArF准分子激光(193纳米)和F2准分子激光(157纳米)3种。由于157纳米光刻技术(投影物镜为反射式)研究已经终止,因此深紫外光刻技术通常指的是248纳米KrF光刻和193纳米ArF光刻,采用步进扫描方式。相比于紫外光光刻,深紫外波段材料对特定波长具有吸收特性,即使是熔石英、氟化钙、氟化镁这样能级带隙较宽的光学材料也不例外,这导致投影物镜的设计、制造和集成技术难度大幅增加,需要采用超精密光学制造技术以及透射式光刻机投影物镜。
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. 工学 . 电子科学与技术 . 集成电路 . 集成电路工艺 . 光刻技术深紫外光刻技术
/deep ultraviolet lithography technology/
最后更新 2022-01-20
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集成电路制造中,应用波长为深紫外波段曝光光源的光刻技术。
- 英文名称
- deep ultraviolet lithography technology
- 所属学科
- 电子科学与技术
扩展阅读
- 张立超,才玺坤,时光.深紫外光刻光学薄膜.中国光学,2015,8(2):169-181.