光激发是产生非平衡自旋的有效方法之一，从而可以开展光与各种自旋的相互作用研究，如通过光激发产生和探测磁性材料（铁、钴、镍等）或非铁磁性材料（碱金属、钨、砷化镓等）中自旋极化电子。早期研究主要集中在半导体中的光自旋电子学，如光学的自旋取向与探测、自旋动力学的光学测量、基于光学的自旋注入等。1996年，研究者在基于砷化镓（GaAs）量子点的相关研究中涉及光激发自旋的研究。后续也衍生出众多丰富的物理效应，如基于光激发的自旋转移力矩效应、光激发的自旋轨道力矩效应以及亚铁磁钆铁钴（GdFeCo）薄膜的光致磁矩翻转等。相比于电学方法调控电子自旋，光学方法调控电子自旋在非接触式超快调控自旋方面具有较大的技术优势和发展前景。