击穿时延

在实际测量中，由于静态击穿电压难以得到，常取电压峰值10%～90%的时间段作为击穿时延，有时也会参照电流波形确定击穿时延。

击穿时延由统计时延和形成时延两部分组成。

①统计时延时段，指从电压上升至静态击穿电压的瞬间开始，到产生能够引发完全击穿的初始电子为止的时间。统计时延取决于实际气隙所处的具体条件（电极状况、电场、电介质组成、压力及温度等），具有明显的随机性，服从统计规律。

②形成时延时段，指第一个有效电子出现后，电离开始至击穿通道形成的时间。形成时延包括流注转变时间、流注发展时间和流注发展至高电导通道时间，可以用流注理论进行简单估算：

式中为初电子崩转变为流注的临界长度；为电场强度；为电子迁移率；修正系数。

一般在短间隙中（1厘米以下），特别是在均匀电场中，击穿时延等于统计时延；在电场不均匀的长间隙中，击穿时延等于形成时延。