被MPB分隔的两种晶体构型是相似的（离子的配位没有变化），但分属于不同对称性的晶相。由于在此种相界附近的热力学自由能十分接近，因此微小的组成变化容易引起相结构转变，而且当化合物的组成位于MPB区域时，容易出现构成相界的两种晶相同时存在的状态，在多晶陶瓷中不同晶粒的组成有涨落更是难以避免的。

准同型相界是20世纪50年代日本和美国学者在研究锆钛酸铅的固溶体（PbZrO₃-PbTiO₃，简称PZT）压电陶瓷时发现的。在以组成为变量的PbZrO₃-PbTiO₃二元系固溶体相图中，在Zr/Ti比为52/48附近固溶体的相结构发生突变，PZT陶瓷的介电和压电等性能出现极大值，而且有相变存在，这个相变的分界处即MPB。从相结构看，在富锆侧为三方相（标记为R相），富钛侧为四方相（标记为T相）。二者都具有铁电性，其自极化方向分别取三方晶胞的对角线<111>和四方晶胞c轴<001>方向。由于两相共存效应，PZT陶瓷的介电和压电等性能在MPB处出现极大值。

准同型相变不同于金属合金中常见的析出型相变，后者是由于组成超出固溶度而引起的，析出相的组成与基体有很大差别。而MPB两侧的组成变化是微小且连续的，只是相结构发生了变化。通常在温度-成分相图上还存在另一种组成并不变化而起因于温度变化的相变。这种相变更常见，但它属于多晶型相变。多晶型相变与准同型相变虽然都能出现相变而导致性能增强效应，但是两者的起因及其对材料性能的作用机制（如温度稳定性）有明显差别。

MPB在材料科学中具有原则性的重要意义，特别在铁电压电材料研究中一直受到关注。在MPB附近，构成晶体的离子具有很大的活性，而这种强的离子活性有利于激发强的电物理效应。这在锆钛酸铅压电陶瓷中得到了充分的反映和利用。许多PZT压电陶瓷都是在MPB附近选取配方或者在此基础上掺杂改性。随着分析技术的进步，PZT等体系的MPB研究不断取得进展，高分辨率同步辐射X射线分析发现，在MPB处可能会存在R-O相变过程的过渡相-单斜相，理论上，这可以用体系自由能变动引起的极化矢量取向变化进行解释。多数学者已经接受：很多体系的相图中MPB不再是早期给出的一条线，也不是一个简单的两相共存区，而是一个窄小的成分区域。

在电子陶瓷广泛应用的钙钛矿型化合物中，存在MPB的材料体系很多。以压电陶瓷为例，除上述PbZrO₃-PbTiO₃系外，在PbTiO₃-PbSnO₃、PbTiO₃-PbHfO₃、Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃–PbTiO₃等二元系，以及PbTiO₃-PbZrO₃-Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃等三元体系中均存在这种相界，并且在无铅压电陶瓷(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-(Bi_0.5K_0.5)O₃等体系的设计中也利用了MPB特性。