由美国加利福尼亚大学伯克利分校的胡正明教授小组于20世纪90年代末提出。鳍式场效应晶体管的器件结构如图所示。栅电极将鳍型半导体结构从3个不同方向包裹起来，使得电荷受到更多的栅电极控制，极大地减少了源漏之间的泄漏成分，提升了有效的电流密度。相比传统的平面器件，鳍式场效应晶体管（FinFET）在相同功耗条件下可以获得50%的性能提升。2011年，FinFET器件由美国英特尔（Intel）公司实现产业化，在顶级计算机、服务器和手机中得到应用。
首页
[{"ID":42423,"Name":"工学"},{"ID":80436,"Name":"电子科学与技术"},{"ID":80598,"Name":"新型半导体器件"},{"ID":80599,"Name":"超薄体场效应晶体管"},{"ID":80600,"Name":"全耗尽SOI场效应晶体管"}]
. 工学 . 电子科学与技术 . 新型半导体器件 . 超薄体场效应晶体管 . 全耗尽SOI场效应晶体管鳍式场效应晶体管
/fin field effect transistor; FinFET/
最后更新 2022-12-23
浏览 149次
一种新型三维立体结构的互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor; CMOS）晶体管。
- 英文名称
- fin field effect transistor; FinFET
- 所属学科
- 电子科学与技术
鳍式场效应晶体管的器件结构示意图
京公网安备 11010202008139号
