由于金属铟在高温、室温和低温下都具有良好的延展性，并容易在室温下制备大阵列的小铟柱，具有良好的机械和电气互连特性，互连成本低、易操作，因而成为焦平面探测器互连应用的较为理想的焊点材料。铟柱生长一般包括光刻和镀膜两种工艺。铟柱示意见图。

铟柱示意图

铟柱生长的方法一般有溅射法和蒸发法两种。由于蒸发法相对溅射法有较高的沉积速率与真空度，得到的薄膜质量较高，因此一般采用热蒸发的方式生长铟柱。热蒸发在真空环境中进行，将铟源加热至其熔点以上，被蒸发的铟原子以直线运动轨迹高速前进，沉积到已完成显影、带光刻胶的芯片表面，然后用剥离工艺形成铟柱。铟柱一般在元器件芯片、读出电路或互连基板上单面生长。随着焦平面阵列的规模越来越大，单个电极上的铟量越来越少，铟柱之间的间距越来越小，容易造成互连不成功或相邻铟柱之间的粘连，较好的解决办法是在元器件芯片与读出电路上同时生长铟柱。对铟柱的要求一般为：合理的铟柱高宽比（一般为1.5∶1）、均匀性不低于95%、表面光滑、不易氧化、铟膜黏着力强。