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光学邻近效应修正
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optical proximity effect correction
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optical proximity effect correction
光刻技术
集成电路制造中，对光学衍射效应造成图形转移的非线性和失真进行校正的技术。
相移掩模技术
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phase shift mask technology
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phase shift mask technology
光刻技术
集成电路制造中，在光刻环节同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高分辨率的分辨率增强技术。
剥离工艺
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lift-off technology
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lift-off technology
光刻技术
集成电路制造中，在光刻环节去除基片上光致抗蚀剂的同时，把胶膜上的薄膜材料一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形薄膜材料的工艺。
光刻烘焙工艺
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lithography baking process
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lithography baking process
光刻技术
集成电路制造中，在光刻环节去除光刻胶中的溶剂，增强光刻胶对基片表面附着力的加热工艺。
光刻曝光工艺
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lithography exposure process
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lithography exposure process
光刻技术
集成电路制造中，将掩模上的几何图形转移到涂覆在基片表面的光刻胶中的技术。
极紫外光刻技术
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extreme ultraviolet lithography technology
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extreme ultraviolet lithography technology
光刻技术
集成电路制造中，以波长为13.5纳米的极紫外光作为曝光光源的光刻技术。
深紫外光刻技术
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deep ultraviolet lithography technology
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deep ultraviolet lithography technology
光刻技术
集成电路制造中，应用波长为深紫外波段曝光光源的光刻技术。
浸入式光刻技术
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immersion lithography technology
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immersion lithography technology
光刻技术
集成电路制造中，利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨力的光刻技术。一般指ArF（193纳米）浸入式光刻技术。
I线光刻技术
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I-line lithography technology
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I-line lithography technology
光刻技术
集成电路制造中，基于汞灯产生的波长为365纳米曝光光源的投影光刻技术。
定向自组装光刻技术
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directed self-assembly lithography technology; DSA
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directed self-assembly lithography technology; DSA
光刻技术
集成电路制造中，运用材料内部的自然机制来产生有序结构进而强化光刻的技术。
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京公网安备 11010202008139号
