分支
新型半导体器件
超级结器件
超结沟槽金属-氧化物-半导体场效应晶体管/ super junction trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor /super junction trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor
超级结器件采用超结作为耐压层的沟槽型栅极金属氧化物半导体开关器件。Cool型金属-氧化物-半导体晶体管/ Cool metal-oxide-semiconductor transistor /Cool metal-oxide-semiconductor transistor
超级结器件基于超结耐压层实现的金属氧化物半导体晶体管。超结金属-氧化物-半导体晶体管/ super junction metal-oxide-semiconductor transistor /super junction metal-oxide-semiconductor transistor
超级结器件基于超结技术制成的金属氧化物半导体晶体管。肖特基注入场效应晶体管/ Schottky injection field effect transistor /Schottky injection field effect transistor
超级结器件利用肖特基栅极（金属-半导体接触）形成势垒，在沟道层和肖特基接触之间形成耗尽层，通过调节栅极电压改变栅漏、栅源电势差以调制栅下沟道区的厚度，从而控制晶体管电阻及沟道电流大小的半导体器件。又称金属-半导体场效应晶体管（metal-semiconductor field effect transistor; MESFET)。
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