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阻变随机存储器/ resistive random access memory; RRAM // resistive random access memory; RRAM /

利用阻变功能材料的两个或多个不同电阻状态来存储数据的器件。

价态改变存储器/ valence change memory /valence change memory
阻变随机存储器
利用阻变材料中金属元素的价态改变而实现电阻调控的一类阻变随机数据存储器。
有机分子存储器/ organic molecular memory /organic molecular memory
阻变随机存储器
一类基于有机分子功能材料的非易失特性数据存储器。可以较长时间保存数据掉电不丢失。
热化学存储器/ thermochemical memory /thermochemical memory
阻变随机存储器
利用材料内部的热化学转变实现阻值的变化，从而实现数据存储功能的器件。是一类可用于长时间保存数据的非易失性存储器，掉电后数据仍然可以长时间保存。
纳米机电存储器/ nanoelectromechanical memory /nanoelectromechanical memory
阻变随机存储器
一类基于纳米机电系统的超高密度数据存储器。
硫系化合物存储器/ chalcogenide random access memory /chalcogenide random access memory
导电桥随机存储器
主要利用硫系化合物稳定的两相或多相之间的可逆转变来实现数据存储的器件。又称相变存储器（phase change memory）。
导电桥随机存储器/ conductive bridge random access memory; CBRAM /conductive bridge random access memory; CBRAM
导电桥随机存储器
利用金属导电桥通断实现电阻转变特性的一类阻变数据存储器。
原子开关/ atomic switch /atomic switch
原子开关
通过控制金属原子的扩散和还原或氧化过程，使连接两端电极之间的金属原子导电细丝形成或断裂，从而使器件电阻在低阻态与高阻态之间切换的纳米器件。
量子电导/ quantum conductance /quantum conductance
原子开关
量子点接触的电导由于量子尺寸效应而呈现出与宏观尺度电导连续变化所不同的规律，即量子化的现象。
金属导电细丝/ metal conductive filament /metal conductive filament
导电细丝理论
主导阻变现象的成分主要来源于活性金属电极的导电细丝。
导电细丝理论/ conductive filament theory /conductive filament theory
导电细丝理论
解释阻变存储器机理的一种基本理论。

阻变随机存储器/ resistive random access memory; RRAM // resistive random access memory; RRAM /

价态改变存储器/ valence change memory /valence change memory

有机分子存储器/ organic molecular memory /organic molecular memory

热化学存储器/ thermochemical memory /thermochemical memory

纳米机电存储器/ nanoelectromechanical memory /nanoelectromechanical memory

硫系化合物存储器/ chalcogenide random access memory /chalcogenide random access memory

导电桥随机存储器/ conductive bridge random access memory; CBRAM /conductive bridge random access memory; CBRAM

原子开关/ atomic switch /atomic switch

量子电导/ quantum conductance /quantum conductance

金属导电细丝/ metal conductive filament /metal conductive filament

导电细丝理论/ conductive filament theory /conductive filament theory