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独立式存储器
/
standalone memory
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standalone memory
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独立于数据处理芯片而单独封装的存储芯片。与之相对应的是嵌入式存储器。
电荷陷阱闪存
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charge trap flash; CTF
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charge trap flash; CTF
独立式存储器
使用氮化硅薄膜等材料来存储电子的一种半导体存储器件。
氮化硅存储层闪存
/
silicon nitride storage layer flash memory
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silicon nitride storage layer flash memory
独立式存储器
以氮化硅为存储介质，把电荷存储在氮化硅基深能级陷阱中的一种电荷俘获型半导体存储器件。
垂直闪存
/
vertical flash memory
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vertical flash memory
独立式存储器
区别于平面闪存，在垂直方向上拓展的三维存储器件。包括垂直堆叠闪存、垂直沟道闪存以及垂直栅闪存。
分裂栅闪存
/
split gate flash memory
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split gate flash memory
分裂栅闪存
基于分裂栅技术制造的存储单元形成的存储设备。是原始闪存的升级产品。
多值存储单元
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multi-level cell; MLC
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multi-level cell; MLC
分裂栅闪存
每个存储单元能存储2位信息（2比特信息，如“00”“01”等）的一种闪存（flash）存储单元。
三值存储单元
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triple-level cell; TLC
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triple-level cell; TLC
分裂栅闪存
每个存储单元能存储3位信息（3比特信息，如“000”“001”等）的一种闪存（flash）存储单元。
镜像存储闪存
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MirrorBit flash memory
/
MirrorBit flash memory
分裂栅闪存
使用镜像存储技术（MirrorBit）生产的闪存类存储设备。是一种电荷俘获存储器。
单值存储单元
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single-level cell; SLC
/
single-level cell; SLC
分裂栅闪存
通过对存储单元施加电学信号实现信息的读取、写入、擦除，每个存储单元只能存储1位信息（1比特信息，也就是“0”或“1”中的一个）的一种电擦除可编程只读存储器（electrically-erasable programmable read-only memory; EEPROM）。
三维闪存
/
three dimensional flash memory
/
three dimensional flash memory
三维闪存
采用三维集成工艺制造的半导体存储器件。
垂直沟道三维闪存
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vertical channel three dimensional flash
/
vertical channel three dimensional flash
三维闪存
具有垂直导电沟道的一种三维闪存。
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京公网安备 11010202008139号
