同质结隧穿场效应晶体管/ homojunction tunneling field effect transistor /homojunction tunneling field effect transistor
带带隧穿场效应晶体管在半导体材料中以掺杂工艺形成能带间隧穿结，结合栅电极对结静电势的调控作用形成的场效应晶体管。
带带隧穿场效应晶体管/ band-to-band tunneling field effect transistor; TFET /band-to-band tunneling field effect transistor; TFET
带带隧穿场效应晶体管利用栅极调控沟道电场，进而控制载流子从源极到沟道区域能带间的量子隧穿电流的场效应晶体管。交错式异质结隧穿场效应晶体管/ staggered heterojunction tunneling field effect transistor /staggered heterojunction tunneling field effect transistor
异质结隧穿场效应晶体管以两种半导体材料形成的交错式异质结为核心的隧穿场效应晶体管。裂隙式异质结隧穿场效应晶体管/ broken-gap heterojunction tunneling field effect transistor /broken-gap heterojunction tunneling field effect transistor
异质结隧穿场效应晶体管两种半导体材料形成的异质结分别进行p型掺杂和n型掺杂，并由栅电压调控其电势形成的场效应晶体管。异质结隧穿场效应晶体管/ heterojunction tunneling field effect transistor /heterojunction tunneling field effect transistor
异质结隧穿场效应晶体管应用两种半导体材料的特殊能带对准关系形成隧穿结，并结合栅电极的调控作用形成的场效应晶体管。是同质结隧穿场效应晶体管之外的另一类隧穿晶体管。
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