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绝缘层上三五族材料
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Ⅲ-Ⅴ material on insulator
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Ⅲ-Ⅴ material on insulator
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将三五族半导体材料与硅衬底进行异质集成，采用绝缘介质（如二氧化硅等）将三五族材料薄层与硅衬底隔开形成叠层结构的新型半导体材料。
绝缘层上铟镓砷
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InGaAs on insulator
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InGaAs on insulator
绝缘层上三五族材料
将单晶铟镓砷薄层转移至衬底表面的绝缘层上，并形成铟镓砷、绝缘层与衬底的三明治结构。
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