介质隔离金属-氧化物-半导体器件/ dielectric isolated metal-oxide-semiconductor device /dielectric isolated metal-oxide-semiconductor device
介质隔离MOS器件在源、漏、体结区具有部分介质物理隔离结构的一类金属氧化物半导体场效应晶体管。
部分耗尽型绝缘体上硅器件/ partial depleted silicon on insulator device /partial depleted silicon on insulator device
介质隔离MOS器件基于绝缘体上硅（silicon on insulator; SOI）结构性半导体材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor; MOSFET）。
空洞填埋层上源漏器件结构/ source/drain on nothing device structure /source/drain on nothing device structure
介质隔离MOS器件源区和漏区与体衬底之间由空隙层隔离的一种局域化的空洞填埋层上硅器件结构。绝缘层上源漏器件结构/ source/drain on insulator device structure /source/drain on insulator device structure
介质隔离MOS器件源区和漏区与体衬底之间由绝缘介质隔离的一种局域化的绝缘体上硅器件结构。空洞填埋层上硅器件结构/ silicon on nothing device structure /silicon on nothing device structure
介质隔离MOS器件沟道在空隙层上的半导体器件结构。部分绝缘填埋层上硅器件结构/ silicon on partial insulator device structure /silicon on partial insulator device structure
介质隔离MOS器件沟道、源、漏3个部分有1～2个在绝缘填埋层上的器件结构。
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