超薄体场效应晶体管/ extremely thin silicon on insulator field effect transistor; ETSOI // extremely thin silicon on insulator field effect transistor; ETSOI /
在超薄半导体沟道上制备的场效应晶体管。
空洞填埋层上硅场效应晶体管/ Si-on-nothing field effect transistor /Si-on-nothing field effect transistor
全耗尽SOI场效应晶体管沟道在空隙层上的场效应晶体管。鳍式场效应晶体管/ fin field effect transistor; FinFET /fin field effect transistor; FinFET
全耗尽SOI场效应晶体管一种新型三维立体结构的互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor; CMOS）晶体管。
多沟道桥连场效应晶体管/ multi-bridge-channel field effect transistor; MBCFET /multi-bridge-channel field effect transistor; MBCFET
全耗尽SOI场效应晶体管具有多层堆叠的半导体沟道，并同时与源、漏连接的新型多栅场效应晶体管。
自对准双栅器件/ self-aligned dual gate device /self-aligned dual gate device
全耗尽SOI场效应晶体管可实现前栅与背栅自对准的双栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor; MOSFET）器件。多沟道鳍式场效应晶体管/ multi-channel fin field effect transistor /multi-channel fin field effect transistor
全耗尽SOI场效应晶体管利用侧墙转移工艺形成双鳍（Fin）结构沟道的鳍式场效应晶体管（fin field effect transistor; FinFET）。
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