金属-氧化物-半导体结构/ metal-oxide-semiconductor structure /metal-oxide-semiconductor structure
【半导体物理相关术语】在半导体衬底的表面生长或淀积一层绝缘薄膜，其上再覆盖一定面积（如直径为几百微米到1毫米的圆）导电层的结构。又称MOS结构。
禁带宽度/ energy band gap /energy band gap
【半导体物理相关术语】半导体价带顶和导带底之间的能量间隙。是半导体能带的一个基本参数，用Eg表示。
负微分电导/ negative differential conductance /negative differential conductance
【半导体物理相关术语】当半导体中电流密度随电场增加而减小时，微分电导小于零的现象。俄歇过程/ Auger process /Auger process
【半导体物理相关术语】原子发射的一个电子导致另一个或多个电子（俄歇电子）被发射出来而非辐射X射线（不能用光电效应解释），使原子、分子成为高阶离子的物理过程。肖特基结/ Schottky junction /Schottky junction
【半导体物理相关术语】一种金属与半导体的交界面。自发发射/ spontaneous emission /spontaneous emission
【半导体物理相关术语】电子自高能态自发地跃迁到低能态同时发射出光的现象。又称自发辐射。结击穿/ electrical breakdown of PN junction /electrical breakdown of PN junction
【半导体物理相关术语】当对PN结施加的反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然迅速增大的现象。负电子亲和势光阴极/ negative electron affinity photocathode /negative electron affinity photocathode
【半导体物理相关术语】表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O）。电子亲和能/ electron affinity /electron affinity
【半导体物理相关术语】元素的-1价阴离子失去一个电子，变成基态原子时所需要吸收的能量。又称电子亲和势。
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